MPS6560RLRF

更新时间： 2024-11-30 13:11:51

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
500mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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MPS6560RLRF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	30 pF	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

MPS6560RLRF 数据手册

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by MPS6560/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CEO

CBO

EBO

Vdc

5.0

500

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

(1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/mW

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(2)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

5.0

—

Vdc

(BR)CEO

(I = 10 mAdc, I = 0)

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

(BR)CBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

—

Vdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V = 25 Vdc, I = 0)

100

nAdc

CES

Collector Cutoff Current

(V = 20 Vdc, I = 0)

—

CBO

Emitter Cutoff Current

(V = 4.0 Vdc, I = 0)

—

EBO

EB(off)

1. R

is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

2. Pulse Test: Pulse Width

300 s; Duty Cycle

2.0%.

REV 1

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_{c. 1}a₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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与MPS6560RLRF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS6560-T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
MPS6560TRB	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS6560TRC	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS6560TRE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS6560TRELEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS6560TRF	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS6561	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPS6561	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, NPN, Silicon,
MPS6561	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92
MPS6561-18RLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,

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