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MPS651 PDF预览

MPS651

更新时间： 2024-09-21 04:14:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
Switching and Amplifier Applications

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MPS651 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：LEAD FREE, TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.05
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHzBase Number Matches：1

MPS651 数据手册

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MPS651  
Switching and Amplifier Applications  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
80  
60  
CBO  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
0.8  
A
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
mW  
°C  
°C  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
80  
60  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
C
C
I
I
V
=80V, I =0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
V
=4.0V, I =0  
C
h
h
h
h
V
V
V
V
=2V, I =50mA  
75  
75  
75  
40  
FE1  
FE2  
FE3  
FE4  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=2V, I =500mA  
C
=2V, I =1.0A  
C
=2V, I =2.0A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =1.0A, I =100mA  
300  
500  
mV  
CE  
C
B
I =2.0A, I =200mA  
C
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =1.0A, I =100mA  
1.2  
1.0  
V
V
BE  
C
B
V
=2.0V, I =1.0A  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Band Width Product  
V
=5.0V, I =50mA,  
75  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, July 2002  
123

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MPS651 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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