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MPS3638AG

更新时间： 2024-11-26 12:58:51
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安森美 - ONSEMI 晶体开关小信号双极晶体管
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8页 218K
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MPS3638AG 数据手册

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by MPS3638A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
3
V
CEO  
–25  
–25  
Vdc  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CES  
CBO  
EBO  
V
V
–25  
Vdc  
–4.0  
–500  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
(1)  
R
JA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
83.3  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
–25  
–25  
–25  
–4.0  
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
(BR)CES  
(I = –100 Adc, V  
= 0)  
C
BE  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
(2)  
V
CEO(sus)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
V
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –15 Vdc, V  
= –15 Vdc, V  
= 0)  
—
—
–0.035  
–2.0  
BE  
BE  
= 0, T = –65°C)  
A
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 V, I = 0)  
I
—
–35  
nA  
EBO  
EB  
Base Current  
(V = –15 Vdc, V  
C
I
B
—
–0.035  
Adc  
= 0)  
BE  
CE  
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
JA  
2. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
(Replaces MPS3638/D)  
Motorola, Inc. 1997
12345678

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MPS3638AG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT4403LT1G ONSEMI

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