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MPS3640

更新时间： 2024-11-25 22:13:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 155K
描述
Switching Transistor

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MPS3640 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.8Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.08 A基于收集器的最大容量：3.5 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：500 MHz
最大关闭时间（toff）：35 ns最大开启时间（吨）：25 ns
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

MPS3640 数据手册

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by MPS3640/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
–12  
Unit  
Vdc  
3
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
–12  
Vdc  
–4.0  
–80  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
–12  
–12  
–12  
–4.0  
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CES  
V
CEO(sus)  
(I = –100 µAdc, V  
C BE  
= 0)  
(1)  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –6.0 Vdc, V  
= –6.0 Vdc, V  
= 0)  
= 0, T = 65°C)  
—
—
–0.01  
–1.0  
BE  
BE  
A
Base Current  
(V = –6.0 Vdc, V  
I
B
—
–10  
nAdc  
= 0)  
CE  
EB  
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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MPS3640 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PN3640LEADFREE CENTRAL

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 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
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 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3640RLRM MOTOROLA

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 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
MPS3640RLRP MOTOROLA

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 		80mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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