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MP6H1

更新时间： 2024-01-06 18:40:44

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罗姆 - ROHM		晶体数字晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	132K
描述
General purpose (Dual digital transistors)

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MP6H1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e2	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

MP6H1 数据手册

MP6H1

Transistors

General purpose (Dual digital transistors)

MP6H1

zDimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) High h^FE.

MPT6

h^FE=300(Min.)(VCE / IC=2V/500mA)

2) Low saturation voltage.

(6) (5) (4)

V^CE(sat)=400mV(Max.) (IC/IB=500mA/5mA)

3) Built in Zener diode for protection against surges when

connected to inductive load.

(1) (2) (3)

zStructure

NPN silicon epitaxial planar transistor

(Resistor built-in type)

zApplications

Driver

zPackaging specifications and h^FE

zEquivalent circuit

R=10kΩ

Package

MPT6

(4)

(6)

(5)

Packaging style

Code

Taping

Type

Basic ordering unit(pieces)

1000

○

DTr1

(1)

DTr2

(3)

(1) : Emitter (DTr1)

MP6H1

(2) : Base

(DTr1)

(3) : Collector (DTr2)

(4) : Emitter (DTr2)

(5) : Base

(DTr2)

(6) : Collector (DTr1)

(2)

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

《DTR1》《DTR2》

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

60±10

Continuous

Pulsed

Collector current

Power dissipation

I_{CP ∗1}

2.0

W/TOTAL

P_{D *2}

1.4

W/ELEMENT

Junction temperature

Storage temperature

Tｊ

150

℃

Tstg

-55 to +150

∗1 Pw=10ms, Single pulse

∗2 Each terminal mounted on a ceramic board

Rev.A

1/3

12 3 4

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