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MP6K62TR

更新时间： 2024-01-01 15:42:37
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 124K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MPT6, 6 PIN

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MP6K62TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.047 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MP6K62TR 数据手册

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MP6K62  
Transistors  
4V Drive Nch+Nch MOSFET  
MP6K62  
zDimensions (Unit : mm)  
zStructure  
Silicon N-channel MOSFET  
MPT6  
4.5  
3.0  
1.0  
1.5  
1.5  
(4)  
zFeatures  
(5)  
(6)  
1) Low on-resistance.  
2) Built-in G-S Protection Diode.  
(3)  
(2)  
(1)  
0.4  
0.3  
zApplication  
Switching  
zPackaging specifications  
zEquivalent circuit  
(6)  
(5)  
(4)  
(6)  
(1)  
(5)  
(4)  
Package  
Taping  
TR  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
MP6K62  
(2)  
(3)  
(1) Tr1 Source  
(2) Tr1 Gate  
(3) Tr2 Drain  
(4) Tr2 Source  
(5) Tr2 Gate  
(6) Tr2 Drain  
(1)  
(2)  
(3)  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VDSS  
VGSS  
ID  
30  
V
20  
V
Continuous  
Pulsed  
6.0  
A
Drain current  
∗1  
IDP  
24  
1.6  
A
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
Pulsed  
IS  
A
∗1  
∗2  
ISP  
24  
A
W/TOTAL  
W/ELEMENT  
°C  
2.0  
Total power dissipation  
Channel temperature  
PD  
1.4  
Tch  
150  
Range of storage temperature  
∗1 Pw 10μs, Duty cycle 1%  
∗2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
1/4  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MP6K65TR ROHM

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
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