5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MP6K14TCR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MP6K31 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch + Nch MOSFET |
|
| MP6K61 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| MP6K62TR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.047ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MP6K65TR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| MP6KE100A | MICROSEMI |
获取价格 |
600W Transient Voltage Suppressor |
|
| MP6KE100A/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
|
| MP6KE100AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
|
| MP6KE100AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
|
| MP6KE100AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
