5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMPQ2369R2
MMPQ2369R2 PDF预览

MMPQ2369R2

更新时间： 2024-09-22 14:53:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
4 CHANNEL, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 751B, SOP-16

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMPQ2369R2 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：CASE 751B, SOP-16
针数：16Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.36Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：4端子数量：16
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：550 MHz
Base Number Matches：1

MMPQ2369R2 数据手册

 浏览型号MMPQ2369R2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMPQ2369R2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMPQ2369R2的Datasheet PDF文件第4页 
MMPQ2369  
Quad Switching  
Transistor  
NPN Silicon  
MAXIMUM RATINGS  
http://onsemi.com  
Rating  
Symbol  
Value  
15  
Unit  
Vdc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
40  
Vdc  
CB  
EB  
16  
V
4.5  
Vdc  
1
Collector Current —  
Continuous  
I
C
500  
mAdc  
CASE 751B−05, STYLE 4  
SO−16  
Four  
Transistors  
Equal  
Each  
Transistor  
Power  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
Total Power Dissipation  
P
P
W
D
@ T = 25°C  
0.4  
3.2  
0.72  
6.4  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
Total Power Dissipation  
W
D
@ T = 25°C  
0.66  
5.3  
1.92  
15.4  
C
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(1)  
Breakdown Voltage  
15  
40  
—
—
—
—
(I = 10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector−Base  
Breakdown Voltage  
V
V
Vdc  
Vdc  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter−Base  
Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
4.5  
—
—
—
—
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 20 Vdc, I = 0)  
I
0.4  
mAdc  
CBO  
CB  
E
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
August, 2006 − Rev. 2  
MMPQ2369/D  
1234

中文翻译

下载PDF

与MMPQ2369R2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMPQ2369R2G ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 4 CHANNEL, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOIC-16, BIP RF S
MMPQ2369S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOIC-16
MMPQ2907 FAIRCHILD

获取价格

 		PNP General Purpose Amplifier
MMPQ2907/S62Z TI

获取价格

 		800mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907A CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON QUAD TRANSISTOR
MMPQ2907A FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
MMPQ2907A TI

获取价格

 		600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907A ONSEMI

获取价格

 		PNP多芯片的通用放大器
MMPQ2907A/D84Z TI

获取价格

 		600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907A/L86Z TI

获取价格

 		600mA, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与MMPQ2369R2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证