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MML20211HT1

更新时间： 2024-09-13 20:57:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 射频微波
页数 文件大小 规格书
20页 579K
描述
E-pHEMT LNA, 1400-2800 MHz, 18.6 dB, 21.3 dBm, 0.65 dB NF

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MML20211HT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：2 X 2 MM, 0.85 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 2132-01, DFN-8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：5A991.G
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.69
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：15 dB最大输入功率 (CW)：22 dBm
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：8
最大工作频率：2800 MHz最小工作频率：1400 MHz
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SOLCC8,.08,20
电源：5 V射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：60 mA
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

MML20211HT1 数据手册

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Document Number: MML20211H  
Rev. 1, 9/2014  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Enhancement Mode pHEMT  
Technology (E--pHEMT)  
Low Noise Amplifier  
MML20211HT1  
The MML20211H is a single--stage low noise amplifier (LNA) with active bias  
and high isolation for use in cellular infrastructure applications. It is designed for  
a range of low noise, high linearity applications such as pico cell, femto cell,  
tower mounted amplifiers (TMA) and receiver front end circuits. It operates from  
a single voltage supply and is suitable for applications with frequencies from  
1400 to 2800 MHz such as TD--SCDMA, W--CDMA, UMTS, PCS, LTE and BWA.  
1400--2800 MHz, 18.6 dB  
21.3 dBm  
Features  
E--pHEMT LNA  
Ultra Low Noise Figure: 0.65 dB @ 2140 MHz  
Frequency: 1400--2800 MHz  
High Reverse Isolation: --35 dB @ 2140 MHz  
P1dB: 21.3 dBm @ 2140 MHz  
Small--Signal Gain: 18.6 dB @ 2140 MHz (adjustable externally)  
Third Order Output Intercept Point: 33 dBm @ 2140 MHz  
Active Bias Control (adjustable externally)  
Single 5 V Supply  
Supply Current: 60 mA  
DFN 2 2  
50 Ohm Operation (some external matching required)  
Cost--effective 8--pin, 2 mm DFN Surface Mount Plastic Package  
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7--inch Reel.  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
1400 1800 2140 2700  
Symbol MHz MHz MHz MHz Unit  
Characteristic  
V
6
200  
DD  
DD  
(2)  
Noise Figure  
NF  
0.65  
0.65 0.65  
0.85  
dB  
Supply Current  
I
mA  
dBm  
C  
Input Return  
Loss (S11)  
IRL  
--19.5 -- 1 6 --16.7 --17.3 dB  
RF Input Power  
P
22  
in  
Output Return  
Loss (S22)  
ORL  
--24.9 -- 2 8 --26.6 -- 2 0  
dB  
dB  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
stg  
--65 to +150  
175  
T
J
C  
Small--Signal  
Gain (S21)  
G
21.3  
21.1  
19.7 18.6  
21.1 21.3  
18.1  
p
Power Output  
@ 1dB  
Compression  
P1dB  
IIP3  
19.6 dBm  
14.9 dBm  
Third Order  
Input Intercept  
Point  
10.8  
32.1  
12.5 14.4  
Third Order  
Output  
OIP3  
32.2  
33  
33  
dBm  
Intercept Point  
1. V = 5 Vdc, T = 25C, 50 ohm system, application circuit  
DD  
A
tuned for specified frequency.  
2. Noise figure value calculated with connector losses removed.  
Table 3. Thermal Characteristics  
Characteristic  
(3)  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
43.4  
C/W  
JC  
Case Temperature 87C, 5 Vdc, I = 60 mA, no RF applied  
DD  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
Freescale Semiconductor, Inc., 2011, 2014. All rights reserved.  
1234567...20

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MML20211HT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MML09211HT1 NXP

类似代替

 E-pHEMT LNA, 400-1400 MHz, 21.3 dB, 22 dBm, 0.52 NF
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 		1000-4000 MHz, 15.2 dB, 23 dBm P1dB, 0.36 dB NF E-pHEMT LNA
MML4400 MICROSEMI

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