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MMBTRC233SS

更新时间: 2024-11-03 14:53:03
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先科 - SWST /
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描述
数字三极管

MMBTRC233SS 数据手册

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MMBTRC231SS...MMBTRC234SS  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors  
For switching, audio muting, interface circuit and  
driver circuit applications  
Collector  
Emitter  
R1  
Base  
1.Base 2.Emitter 3.Collector  
SOT-23 Plastic Package  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
V
V
50  
5
100  
V
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Ptot  
Tj  
200  
O
150  
C
O
Tstg  
- 55 to + 150  
C
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
625  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 4  
Dated : 10/01/2022 Rev: 03  

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