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MMBTRC244SS

更新时间: 2024-11-03 14:51:23
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描述
数字三极管

MMBTRC244SS 数据手册

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MMBTRC241SS…MMBTRC246SS  
NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors  
Collector  
(Output)  
Feature  
• With built-in bias resistors  
R1  
• Simplify circuit design  
Base  
(Input)  
• Reduce a quantity of parts and manufacturing  
Process  
R2  
1.Base 2.Emitter 3.Collector  
SOT-23 Plastic Package  
Emitter  
(Common)  
Applications  
• For high current switching, interface  
circuit and driver circuit  
Resistor Values  
Type  
R1 (KΩ)  
R2 (KΩ)  
Type  
R1 (KΩ)  
R2 (KΩ)  
10  
MMBTRC241SS  
MMBTRC242SS  
MMBTRC243SS  
1
1
MMBTRC244SS  
MMBTRC245SS  
MMBTRC246SS  
10  
1
2.2  
4.7  
2.2  
4.7  
10  
2.2  
10  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Value  
50  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
VCEO  
50  
V
MMBTRC241SS  
MMBTRC242SS  
MMBTRC243SS  
MMBTRC244SS  
MMBTRC245SS  
MMBTRC246SS  
10, -10  
12, -10  
20, -10  
30, -10  
10, -5  
12, -6  
300  
Input Voltage  
VIN  
V
Collector Current  
IC  
Ptot  
Tj  
mA  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
200  
mW  
O
150  
C
O
Tstg  
- 55 to + 150  
C
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
625  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
Dated : 19/09/2022 Rev:03  
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