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MMBTRC118SS

更新时间: 2024-11-02 10:52:23
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德欧泰克 - DIOTEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Surface Mount Bias Resistor Transistors

MMBTRC118SS 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:2.34其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):33
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

MMBTRC118SS 数据手册

 浏览型号MMBTRC118SS的Datasheet PDF文件第2页 
MMBTRC116SS ... MMBTRC121SS  
MMBTRC116SS ... MMBTRC121SS  
Surface Mount Bias Resistor Transistors  
SMD Transistoren mit Eingangsspannungsteiler  
NPN  
NPN  
Version 2011-02-28  
Power dissipation – Verlustleistung  
200 mW  
2.9±0.1  
1.1  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
SOT-23  
(TO-236)  
0.4  
3
Type  
Code  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.01 g  
1
2
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
1.9  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
Dimensions - Maße [mm]  
1 = In 2 = Gnd 3 = Out  
Maximum ratings and characteristics (TA = 25°C)  
Grenz- und Kennwerte (TA = 25°C)  
Resistor combinations – Widerstandskombinationen  
R1 [kΩ]  
R2 [kΩ]  
10  
1
MMBTRC116SS  
MMBTRC117SS  
MMBTRC118SS  
MMBTRC119SS  
MMBTRC120SS  
MMBTRC121SS  
VI  
2.2  
2.2  
4.7  
10  
2.2  
10  
10  
4.7  
47  
10  
Input-voltage – Eingangs-Spannung  
MMBTRC116SS  
MMBTRC117SS  
MMBTRC118SS  
MMBTRC119SS  
MMBTRC120SS  
MMBTRC121SS  
VO  
-5 ... +10 V  
-10 ... +12 V  
-5 ... +12 V  
-7 ... +20 V  
-10 ... +30 V  
-15 ... +40 V  
50 V  
Output voltage – Ausgangs-Spannung  
Output current – Ausgangs-Strom  
Power dissipation – Verlustleistung  
IO  
100 mA  
Ptot  
200 mW 1)  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-55...+150°C  
-55…+150°C  
3
Output  
R1  
R2  
2
1
Input  
Ground  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case  
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 

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