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MMBTRC231S

更新时间： 2024-11-03 14:53:27

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数字三极管

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MMBTRC231S 数据手册

MMBTRC231S...MMBTRC234S

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

For switching, audio muting, interface circuit and

driver circuit applications

Collector

Emitter

Base

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current ¹⁾

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

600

Total Power Dissipation

Junction Temperature

P_tot

T_j

200

150

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

¹⁾tp = 1mS.

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

200

Typ.

Max.

800

Unit

DC Current Gain

h_FE

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

at V_CE= 5 V, I_C= 50 mA

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 50 µA

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 1 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 50 µA

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 30 V

0.5

µA

MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 50 mA, I_B= 2.5 mA

V_CE(sat)

f_T

Transition Frequency

200

at V_CE= 10 V, -I_E= 50 mA, f = 100 MHz

MMBTRC231S

MMBTRC233S

MMBTRC234S

2.2

4.7

Input Resistor

KΩ

Dated : 30/07/2018 Rev: 02

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