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MMBT9012F PDF预览

MMBT9012F

更新时间： 2024-01-19 21:48:12
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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MMBT9012F 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.68
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：96
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBT9012F 数据手册

 浏览型号MMBT9012F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT9012F的Datasheet PDF文件第3页 
UTC MMBT9012  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
1W OUTPUT AMPLIFIER OF  
POTABLE RADIOS IN CLASS B  
PUSH-PULL OPERATION  
FEATURES  
2
*High total power dissipation. (625mW)  
*High collector current. (-500mA)  
*Excellent hFE linearity  
1
*Complementary to UTC MMBT9013  
3
MARKING  
12  
SOT-23  
1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified )  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ic  
RATING  
-40  
UNIT  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Collector dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-20  
-5  
-500  
225  
V
mA  
mW  
°C  
Pc  
Tj  
TSTG  
150  
-55 ~ +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
SYMBOL  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
Ic=-100µA,IE=0  
MIN TYP MAX UNIT  
-40  
-20  
-5  
V
V
V
nA  
nA  
Ic=-1mA,IB=0  
IE=-100µA, Ic=0  
VCB=-25V,IE=0  
VEB=-3V,IC=0  
-100  
-100  
300  
Emitter cutoff current  
IEBO  
DC current gain  
hFE1  
VCE=-1V,Ic=-50mA  
VCE=-1V,Ic=-500mA  
Ic=-500mA,IB=-50mA  
Ic=-500mA,IB=-50mA  
VCE=-1V,Ic=-10mA  
64  
40  
120  
90  
hFE2  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter on voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-0.18 -0.6  
-0.95 -1.2  
-0.6 -0.67 -0.7  
V
V
V
1
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.  
QW-R206-020,A  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT9012G-D-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
MMBT9012G-F-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
MMBT9012G-G-AE3-R UTC

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 		1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS
MMBT9012H UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
MMBT9012I UTC

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