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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 144 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT9012G-I-AE3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| MMBT9012G-X-AE3-R | UTC |
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1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS |
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| MMBT9012H | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| MMBT9012I | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| MMBT9012L-E-AE3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| MMBT9012L-F-AE3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| MMBT9012L-G-AE3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| MMBT9012L-H-AE3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| MMBT9012L-I-AE3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| MMBT9012LT1 | WINNERJOIN |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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