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MMBT5451DW

更新时间： 2023-12-06 20:09:18

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先科 - SWST		晶体管
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8页	1807K
描述
小信号晶体管

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MMBT5451DW 数据手册

MMBT5451DW

Electrial Characteristics at T_a= 25

Parameter

Symbol

h_FE

Min.

Max.

Unit

DC Current Gain

at -V_CE= 5 V, -I_C= 1 mA

at -V_CE= 5 V, -I_C= 10 mA

at -V_CE= 5 V, -I_C= 50 mA

Collector Base Cutoff Current

at -V_CB= 120 V

100

300

-I_CBO

Emitter Base Cutoff Current

at -V_EB= 3 V

-I_EBO

Collector Base Breakdown Voltage

at -I_C= 100 µA

-V_(BR)CBO

-V_(BR)CEO

-V_(BR)EBO

160

150

Collector Emitter Breakdown Voltage

at -I_C= 1 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at -I_E= 10 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 10 mA, -I_B=1 mA

at -I_C= 50 mA, -I_B= 5 mA

Base Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 10 mA, -I_B= 1 mA

at -I_C= 50 mA, -I_B= 5 mA

0.2

0.5

-V_CE(sat)

-V_BE(sat)

Current Gain Bandwidth Product

at -V_CE= 10 V, -I_C= 10 mA, f = 100 MHz

f_T

100

300

MHz

Output Capacitance

at -V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

C_obo

3 / 8

Dated：08/03/2022 Rev:02

1 234 5 6 7 8

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