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MMBT3904LT1 PDF预览

MMBT3904LT1

更新时间： 2024-02-20 19:11:23
品牌 Logo 应用领域
永而佳 - WINNERJOIN 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
SOT-23 TRANSISTOR

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MMBT3904LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.02
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

MMBT3904LT1 数据手册

 浏览型号MMBT3904LT1的Datasheet PDF文件第2页 
RoHS  
M M B T 3 9 0 4 L T 1  
SOT-23 TRANSISTOR  
Dimensions(Unit:mm)  
SOT-23  
2.3±0.2  
1.3±0.2  
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR  
Complementary Pair with MMBT3906LT1.  
Collector Dissipation:Pc=225mW  
Collector-Emitter Voltage:VCEO=40V  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
0.5Ref.  
0.5Ref.  
2
3
1A  
1
Marking  
0.38Ref.  
MINO.1  
0.01-0.10  
1.EMITTER  
2.BASE  
3.COLLECTOR  
Tolerance:0.1mm  
(Ta=25oC)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
60  
40  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
6
mA  
Ic  
200  
225  
150  
-50~150  
Pc  
mW  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
O C  
O C  
T
T
j
stg  
(Ta=25oC)  
Electrical Characteristics  
Parameter  
Symbol MIN. TYP.MAX. Unit  
Condition  
V
V
40  
60  
6
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
I
I
I
C
C
E
=1mA I  
=10 A I  
=10 A I  
B
=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
DC Current Gain  
E
=0  
V
C
=0  
I
I
CEO  
50  
50  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CB=30V, VEB=3V  
EBO  
CB=3V, I  
CE=1V, I  
CE=1V, I  
CE=1V, I  
CE=1V, I  
CE=1V, I  
C
C
C
C
C
C
=0  
h
h
h
h
h
FE1  
FE2  
FE3  
FE4  
FE5  
=0.1mA  
=1mA  
40  
70  
DC Current Gain  
DC Current Gain  
300  
=10mA  
=50mA  
=100mA  
100  
60  
DC Current Gain  
DC Current Gain  
30  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
V
V
V
CE(sat)  
CE(sat)  
BE(sat)  
0.2  
0.3  
V
I
I
I
C
C
C
=10mA, I  
=50mA, I  
=10mA, I  
B
B
B
=1mA  
=5mA  
=1mA  
V
V
0.65  
0.85  
WEJ ELECTRONIC CO.,LTD  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
V
C
BE(sat)  
ob  
0.95  
4
V
I
C
=50mA, I  
=0,f=1MHz  
=10mA,f=100MHz  
B
=5mA  
V
V
CE=5V, I  
C
PF  
Current Gain-Bandwidth Product  
f
T
300  
CE=20V, I  
C
MHz  
Total Device Dissipation:FR=1X0.75X0.062 in Board Derate 25oC  
Pulse Test: Pulse Width 300uS Duty cycle 2%  
Http:// www.wej.cn  
E-mail:wej@yongerjia.com  
WEJ ELECTRONIC CO.  
12

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MMBT3904LT1_15 WINNERJOIN SOT-23 TRANSISTOR

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