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MMBT3904LT1

更新时间： 2024-01-25 05:52:42

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AVICTEK		晶体晶体管光电二极管
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1页	42K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

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MMBT3904LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.02
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT3904LT1 数据手册

@vic

MMBT3904LT1

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

1. BASE

MMBT3904LT1 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

2. 4

1. 3

P_CM:

0.2

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

0.2

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

Unit: mm

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 100 µA, I_E=0

Ic= 1 mA, I_B=0

I_E= 100µA, I_C=0

V_CB= 60V, I_E=0

0.1

300

µA

I_CEO

V_CE= 40V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB= 5V, I_C=0

Emitter cut-off current

H_FE(1)

V_CE=10V, I_C= 1mA

V_CE= 1V, I_C= 50mA

I_C=50mA, I_B= 5mA

I_C= 50mA, I_B= 5mA

100

DC current gain

H_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.3

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

0.95

_CE= 20V, I_C= 10mA

250

MHz

Transition frequency

f_T

f=100MHz

Delay Time

Rise Time

V_CC=3.0Vdc, V_BE=-0.5Vdc

I_C=10mAdc, I_B1=1.0mAdc

200

Storage Time

V_CC=3.0Vdc, I_C=10mAdc

I_B1=I_B2=1.0mAdc

Fall Time

DEVICE MARKING

MMBT3904LT1=1AM

Website http://www.avictek.com

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