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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT3904
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MMBT3904

更新时间： 2024-11-29 22:54:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 299K
描述
GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

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MMBT3904 数据手册

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MMBT3904WT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN and PNP Silicon  
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are  
housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount  
applications.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
GENERAL PURPOSE  
AMPLIFIER TRANSISTORS  
SURFACE MOUNT  
MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
40  
–40  
Vdc  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
60  
–40  
Vdc  
Vdc  
MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
6.0  
–5.0  
3
Collector Current — Continuous MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
I
200  
–200  
mAdc  
C
1
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
CASE 419–02, STYLE 3  
SOT–323/SC–70  
(1)  
Total Device Dissipation  
P
D
150  
mW  
T
= 25°C  
A
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
833  
°C/W  
°C  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT3904WT1 = AM  
MMBT3906WT1 = 2A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(2)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
40  
–40  
—
—
C
C
B
B
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CBO  
MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
60  
–40  
—
—
C
E
(I = –10 Adc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
6.0  
–5.0  
—
—
E
E
C
C
(I = –10 Adc, I = 0)  
Base Cutoff Current  
I
nAdc  
nAdc  
BL  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 30 Vdc, V  
EB  
= –30 Vdc, V  
= 3.0 Vdc)  
MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
—
—
50  
–50  
= –3.0 Vdc)  
EB  
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 30 Vdc, V  
EB  
= –30 Vdc, V  
= 3.0 Vdc)  
MMBT3904WT1  
MMBT3906WT1  
—
—
50  
–50  
= –3.0 Vdc)  
EB  
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.  
2. Pulse Test: Pulse Width 300 s; Duty Cycle 2.0%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Motorola, Inc. 1996
1234567...12

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MMBT3904 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT3904TT1G ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors
MMBT3904LT1G ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistor (NPN Silicon)
MMBT3906LT1G ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistor(PNP Silicon)

与MMBT3904相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3904,215 NXP

获取价格

 		MMBT3904 - NPN switching transistor TO-236 3-Pin
MMBT3904/D87Z TI

获取价格

 		200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904/E9 VISHAY

获取价格

 		Transistor,
MMBT3904/L99Z TI

获取价格

 		200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904/S62Z TI

获取价格

 		200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904_08 DIODES

获取价格

 		NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3904_08 MCC

获取价格

 		NPN General Purpose Amplifier
MMBT3904_08 PANJIT

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT3904_1 DIODES

获取价格

 		NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3904_10 TSC

获取价格

 		300mW, NPN Small Signal Transistor

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