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MMBT3904/L99Z

更新时间: 2024-12-01 03:48:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 210K
描述
200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

MMBT3904/L99Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.58最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.35 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz最大关闭时间(toff):250 ns
最大开启时间(吨):70 nsVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

MMBT3904/L99Z 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3904/S62Z TI

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200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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300mW, NPN Small Signal Transistor
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GENERAL PURPOSE APPLIATION