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MMBT3904_10

更新时间： 2024-11-30 10:52:31

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体开关晶体管
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Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors

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MMBT3904_10 数据手册

MMBT3904

Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors

Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2010-04-14

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT3904

40 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

60 V

6 V

350 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

I_C= 0.1 mA, V_CE= 1 V

h_FE

100

–

300

–

I_C= 1 mA,

V_CE= 1 V

I_C= 10 mA, V_CE= 1 V

I_C= 50 mA, V_CE= 1 V

I_C= 100 mA, V_CE= 1 V

–

h-Parameters at/bei V_CE= 10 V, I_C= 1 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

h_fe

h_ie

h_oe

h_re

100

1 kΩ

–

400

10 kΩ

40 µS

8*10^-4

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

1 µS

Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung

0.5*10^-4

Valid, if leads are kept at ambient temperature

Gültig, wenn die Anschlüsse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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