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MMBD914LT1 PDF预览

MMBD914LT1

更新时间： 2024-01-02 15:06:14
品牌 Logo 应用领域
威伦 - WILLAS 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 296K
描述
High−Speed Switching Diode

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MMBD914LT1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：5.59Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.37 W
参考标准：AEC-Q101最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MMBD914LT1 数据手册

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WILLAS  
MMBD914LT1  
High−Speed Switching  
Diode  
Features  
z
RoHS product for packing code suffix "G"  
Halogen free product for packing code suffix "H"  
z
z
Moisture Sensitivity Level 1  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Rating  
Reverse Voltage  
V
R
SOT-23  
Forward Current  
I
200  
mAdc  
mAdc  
F
Peak Forward Surge Current  
I
500  
FM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
3
1
Symbol  
Max  
Unit  
CATHODE  
ANODE  
Total Device Dissipation  
FR–5 Board (Note 1.)  
P
225  
mW  
D
T = 25°C  
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
5D  
A
1.8  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
q
556  
JA  
Total Device Dissipation  
P
300  
mW  
D
Alumina Substrate (Note 2.)  
5D = Device Code  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
q
417  
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Device  
MMBD914LT1  
Package  
Shipping  
3000/Tape & Reel  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
SOT−23  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
V
100  
–
Vdc  
(BR)  
(I = 100 mAdc)  
R
Reverse Voltage Leakage Current  
I
R
(V = 20 Vdc)  
(V = 75 Vdc)  
R
–
–
25  
5.0  
nAdc  
mAdc  
R
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
V
–
–
–
4.0  
1.0  
4.0  
pF  
Vdc  
ns  
T
Forward Voltage  
(I = 10 mAdc)  
F
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc) (Figure 1)  
F
R
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
2012-12  
WILLAS ELECTRONIC CORP.  
123

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