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MMBD914TG

更新时间: 2024-09-27 04:39:31
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强茂 - PANJIT 二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

MMBD914TG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.83配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

MMBD914TG 数据手册

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MMBD914TG  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES  
100 Volts  
VOLTAGE  
POWER  
200mWatts  
FEATURES  
• Very Fast Reverse Recovery (Trr < 4.0 ns typical)  
• Low Capacitance (4pF@0V typical)  
• Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic insertion  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICALDATA  
• Case : SOD-723, Plastic  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Approx. Weight : 0.0007gram  
• Marking : BF  
ABSOLUTE RATINGS  
PARAMETER  
Maximum Reverse Voltage  
SYMBOL  
LIMITS  
75  
UNITS  
V
V
A
A
V
R
Peak Reverse Voltage  
100  
0.2  
V
RRM  
Continuous Forward Current  
I
F
Non-repetitive Peak Forward Surge Current at t=0.001ms  
2.0  
I
FSM  
THERMALCHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMITS  
200  
UNITS  
mW  
Power Dissipation (Note 1)  
P
TOT  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Rang  
635  
oC/W  
oC  
R
ΘJA  
-55 to 150  
TJ,TSTG  
Note 1.FR-5 Boand = 1.0 x 0.75 x 0.062 in  
STAD-MAY.21.2007  
PAGE . 1  

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