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MMBD914 PDF预览

MMBD914

更新时间： 2024-02-04 14:47:31
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SECOS 二极管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
2页 148K
描述
Surface Mount Switching Diode

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MMBD914 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.88
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-609代码：e0
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.015 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

MMBD914 数据手册

 浏览型号MMBD914的Datasheet PDF文件第2页 
MMBD914  
Surface Mount Switching Diode  
Ele ktronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
A
L
·
·
Fast Switching Speed  
3
Surface Mount Package Ideally Suited for  
Automatic Insertion  
S
Top View  
B
1
2
·
·
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
V
G
3
C
3
1
1
CATHODE  
ANODE  
2
H
J
D
K
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
SOT-23  
Min  
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
Reverse Voltage  
V
R
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
Forward Current  
I
F
200  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
I
500  
FM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
K
L
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
S
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
V
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
All Dimension in mm  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBD914 = 5D  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Reverse Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc)  
R
V
(BR)  
100  
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
I
R
(V = 20 Vdc)  
—
—
25  
5.0  
nAdc  
Adc  
R
(V = 75 Vdc)  
R
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
R
C
V
—
—
—
4.0  
1.0  
4.0  
pF  
Vdc  
ns  
T
Forward Voltage  
(I = 10 mAdc)  
F
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc) (Figure 1)  
F
R
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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12

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