MMBD914_NL

更新时间： 2024-02-20 11:30:44

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
2页	37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

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MMBD914_NL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.88
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向恢复时间：	0.015 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

MMBD914_NL 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

MMBD914

CONNECTION DIAGRAM

2 NC

SOT-23

High Conductance Ultra Fast Diode

Sourced from Process 1P. See 1N4148 for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

W_IV

Working Inverse Voltage

Average Rectified Current

DC Forward Current

I_O

200

600

700

I_F

Recurrent Peak Forward Current

i_f

Peak Forward Surge Current

Pulse width = 1.0 second

Pulse width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

i_f(surge)

1.0

2.0

-55 to +150

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

150

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

MMBD914*

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

350

2.8

357

mW/°C

°C/W

R_θ

*Device mounted on glass epoxy PCB 1.6" X 1.6" X 0.06"; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in2

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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