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MMBD914L

更新时间： 2024-01-28 22:26:13

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安森美 - ONSEMI		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	82K
描述
High-Speed Switching Diode

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MMBD914L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.88
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向恢复时间：	0.015 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

MMBD914L 数据手册

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by MMBD914LT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Motorola Preferred Device

CATHODE

ANODE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

CASE 318–08, STYLE 8

SOT–23 (TO–236AB)

Reverse Voltage

Forward Current

100

200

500

mAdc

Peak Forward Surge Current

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

FM(surge)

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation FR–5 Board

225

= 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

(2)

Alumina Substrate,

Derate above 25°C

T = 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

DEVICE MARKING

T , T

J stg

–55 to +150

MMBD914LT1 = 5D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Max

Unit

Reverse Breakdown Voltage

(I = 100 Adc)

(BR)

100

—

Vdc

Reverse Voltage Leakage Current

(V = 20 Vdc)

—

5.0

nAdc

Adc

(V = 75 Vdc)

Diode Capacitance

(V = 0, f = 1.0 MHz)

—

4.0

1.0

4.0

Vdc

Forward Voltage

(I = 10 mAdc)

Reverse Recovery Time

(I = I = 10 mAdc) (Figure 1)

1. FR–5 = 1.0

2. Alumina = 0.4

0.75 0.062 in.

0.3 0.024 in. 99.5% alumina.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₇Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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