MMBD770T1G

更新时间： 2024-01-20 03:30:46

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安森美 - ONSEMI		微波混频二极管光电二极管
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4页	116K
描述
Schottky Barrier Diodes

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MMBD770T1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW REVERSE LEAKAGE
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.12 W	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

MMBD770T1G 数据手册

MMBD330T1G,

MMBD770T1G

Schottky Barrier Diodes

Schottky barrier diodes are designed primarily for high-efficiency

UHF and VHF detector applications. Readily available to many other

fast switching RF and digital applications. They are housed in the

SOT-323/SC-70 package which is designed for low-power surface

mount applications.

http://onsemi.com

Features

 Extremely Low Minority Carrier Lifetime

 Very Low Capacitance

 Low Reverse Leakage

 Available in 8 mm Tape and Reel

 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

MARKING

DIAGRAMS

XX M G

MAXIMUM RATINGS

SC -70/SOT -323

CASE 419

Rating

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

MMBD330T1

Vdc

= Specific Device Code

MMBD770T1

= MMBD330T1

= MMBD770T1

= Date Code

Forward Continuous Current (DC)

200

1.0

= Pb--Free Package

Nonrepetitive Peak Forward Current

(Note 1)

FSM

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation may vary depending

upon the manufacturing location.

Forward Power Dissipation

120

= 25C

Junction Temperature

-- 55 to +125

-- 55 to +150

C

ORDERING INFORMATION

Storage Temperature Range

stg

†

Device

Package

Shipping

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. 60 Hz Halfsine.

MMBD330T1G

SC--70

(Pb--Free)

3000/Tape & Reel

MMBD770T1G

SC--70

3000/Tape & Reel

(Pb--Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.



Semiconductor Components Industries, LLC, 2010

Publication Order Number:

October, 2010 - Rev. 5

MMBD330T1/D

12 3 4

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MMBD770T1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBD770T1	ONSEMI	完全替代	Schottky Barrier Diodes
MMBD770T1	MOTOROLA	功能相似	Schottky Barrier Diodes

与MMBD770T1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBD770-T1-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC P
MMBD770W	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
MMBD770W_09	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
MMBD770WS	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
MMBD914	VISHAY	获取价格	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
MMBD914	MCC	获取价格	350mW 100 Volt Silicon Epitaxial Diode
MMBD914	GOOD-ARK	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD914	TRSYS	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
MMBD914	INFINEON	获取价格	Silicon Switching Diode
MMBD914	TAITRON	获取价格	Three Terminals SMD Switching Diode

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