生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.65 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散: | 0.12 W | 最大重复峰值反向电压: | 70 V |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBD770T1G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diodes | |
MMBD770-T1-LF | WTE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC P | |
MMBD770W | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES | |
MMBD770W_09 | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES | |
MMBD770WS | PANJIT |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES | |
MMBD914 | VISHAY |
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SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE | |
MMBD914 | MCC |
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350mW 100 Volt Silicon Epitaxial Diode | |
MMBD914 | GOOD-ARK |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES | |
MMBD914 | TRSYS |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE | |
MMBD914 | INFINEON |
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Silicon Switching Diode |