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MMBD1505L99Z

更新时间: 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 93K
描述
0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

MMBD1505L99Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.65
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.15 V
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.01 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MMBD1505L99Z 数据手册

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