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MMBD1202

更新时间： 2024-10-29 11:11:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 288K
描述
高电导、超快速二极管

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MMBD1202 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.56
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMBD1202 数据手册

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Small Signal Diodes  
MMBD1201 - MMBD1205  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
www.onsemi.com  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1, Note 2)  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
CONNECTION DIAGRAM  
V
RRM  
Maximum Repetitive Reverse  
Voltage  
100  
V
3
3
1202  
1201  
I
Average Rectified Forward Current  
200  
1.0  
mA  
A
F(AV)  
I
Non−Repetitive Peak  
Forward Surge  
Current  
Pulse Width =  
FSM  
1
2
3
1.0 s  
3
1203  
1
1204  
Pulse Width =  
2.0  
1.0 ms  
T
Storage Temperature Range  
−55 to + 150  
°C  
°C  
2
1
2
STG  
3
1205  
T
J
Operating Junction Temperature  
150  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1
2
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. ON Semiconductor should be consulted  
on applications involving pulsed or low−duty−cycle operations.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SOT−23  
CASE 318−08  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Value  
350  
2.8  
Unit  
mW  
P
D
MARKING DIAGRAM  
Derate Above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
357  
2xM G  
θ
JA  
G
2x  
= Specific Device Code  
x = 4, 5, 6, 7, 8  
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBD1201,  
MMBD1202,  
MMBD1203,  
MMBD1204,  
MMBD1205  
SOT−23  
(Pb−Free  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
July, 2021 − Rev. 3  
MMBD1202/D  
 
1234567

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MMBD1202 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAS16 ONSEMI

类似代替

 （之前的 Fairchild）开关二极管，85 V 200 mA
BAS16LT1G ONSEMI

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BAS16TT1G ONSEMI

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 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 1.0 A;Forward V
MMBD1203_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
MMBD1203D87Z FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon
MMBD1203L99Z TI

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 		0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1203S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon

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