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MMBD1201

更新时间： 2024-10-29 11:11:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 288K
描述
高导通，Ultrafast 二极管

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MMBD1201 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.22
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：326399Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 3LSamacsys Released Date：2017-04-05 08:46:04
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MMBD1201 数据手册

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Small Signal Diodes  
MMBD1201 - MMBD1205  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
www.onsemi.com  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1, Note 2)  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
CONNECTION DIAGRAM  
V
RRM  
Maximum Repetitive Reverse  
Voltage  
100  
V
3
3
1202  
1201  
I
Average Rectified Forward Current  
200  
1.0  
mA  
A
F(AV)  
I
Non−Repetitive Peak  
Forward Surge  
Current  
Pulse Width =  
FSM  
1
2
3
1.0 s  
3
1203  
1
1204  
Pulse Width =  
2.0  
1.0 ms  
T
Storage Temperature Range  
−55 to + 150  
°C  
°C  
2
1
2
STG  
3
1205  
T
J
Operating Junction Temperature  
150  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1
2
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. ON Semiconductor should be consulted  
on applications involving pulsed or low−duty−cycle operations.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SOT−23  
CASE 318−08  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Value  
350  
2.8  
Unit  
mW  
P
D
MARKING DIAGRAM  
Derate Above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
357  
2xM G  
θ
JA  
G
2x  
= Specific Device Code  
x = 4, 5, 6, 7, 8  
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBD1201,  
MMBD1202,  
MMBD1203,  
MMBD1204,  
MMBD1205  
SOT−23  
(Pb−Free  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
July, 2021 − Rev. 3  
MMBD1202/D  
 
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD1201_01 FAIRCHILD

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 		Small Signal Diodes
MMBD1201_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
MMBD1201L99Z TI

获取价格

 		0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1201L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon
MMBD1201S62Z TI

获取价格

 		0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1202 GOOD-ARK

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD1202 ONSEMI

获取价格

 		高电导、超快速二极管
MMBD1202 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		0.6A,100V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
MMBD1202 RECTRON

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 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 1.0 A;Forward V
MMBD1203 GOOD-ARK

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 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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