5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 光电 > 激光二极管> ML920J40S-13
ML920J40S-13 PDF预览

ML920J40S-13

更新时间： 2024-11-23 02:52:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 半导体光电二极管激光二极管
页数 文件大小 规格书
3页 211K
描述
2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

ML920J40S-13 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.57Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE最大正向电流：0.08 A
最大正向电压：1.5 V安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最高工作温度：85 °C
最低工作温度：光电设备类型：LASER DIODE
标称输出功率：6 mW峰值波长：1490 nm
最长响应时间：1.2e-10 s半导体材料：InGaAsP
形状：ROUND尺寸：2 mm
子类别：Laser Diodes表面贴装：NO
最大阈值电流：15 mABase Number Matches：1

ML920J40S-13 数据手册

 浏览型号ML920J40S-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ML920J40S-13的Datasheet PDF文件第3页 
ML9MXITXSU4BI0SHI SLAESERR IDIEODSES  
Notice : Some parametric limits are subject to change  
2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE  
TYPE  
ML925B40F / ML920J40S  
ML925J40F / ML920L40S  
NAME  
DESCRIPTION  
APPLICATION  
ML9XX40 series are uncooled DFB (Distributed Feedback) laser  
diodes for 2.5Gbps transmission emitting light beam at 1470~1610nm.  
λ/4 shifted grating structure is employed to obtain excellent SMSR  
performance under 2.5Gbps modulation. Furthermore, ML9xx40 can  
operate in the wide temperature range from 0oC to 85 oC without any  
temperature control. They are well suited for light source in long  
distance digital transmission application of coarse WDM.  
· 2.5Gbps long-haul transmission  
· Coarse WDM application  
FEATURES  
· λ/4 shifted grating structure  
· Wide temperature range operation (0oC to 85oC)  
· High side-mode-suppression-ratio (typical 45dB)  
· High resonance frequency (typical 11GHz)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Po  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Output power  
CW  
---  
6
150  
2
mW  
mA  
V
If  
VRL  
IFD  
Forward current (Laser diode)  
Reverse voltage (Laser diode)  
Forward current (Photo diode)  
Reverse voltage (Photo diode)  
---  
---  
2
20  
mA  
V
VRD  
---  
Tc  
Tstg  
Case temperature  
Storage temperature  
---  
---  
0 to +85  
-40 to +100  
ºC  
ºC  
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC)  
Symbol  
Ith  
Parameter  
Threshold current  
Test conditions  
Min. Typ. Max.  
Unit  
mA  
CW  
CW  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
10  
35  
45  
35  
70  
90  
1.1  
15  
40  
<*1>  
<*2>  
Tc=85ºC  
50  
Iop  
Operation current  
CW, Po=5mW  
CW, Po=5mW  
Tc=85ºC  
45  
mA  
<*1>  
<*2>  
80  
100  
1.5  
---  
Vop  
η
Operating voltage  
Slope efficiency  
CW, Po=5mW  
CW, Po=5mW  
CW, Po=5mW <*3>  
CW, Po=5mW  
V
0.17 0.22  
0.15 0.20  
mW/mA  
---  
Peak wavelength  
Side mode suppression ratio  
Side mode suppression ratio(RF)  
<*4>,<*5>  
45  
nm  
dB  
λp  
35  
---  
---  
---  
---  
---  
CW, Po=5mW, Tc=0 to 85ºC  
SMSR  
2.48832Gbps,Ib=Ith, Ipp=40mA  
45  
25  
Beam divergence angle (parallel) <*6> CW, Po=5mW  
(perpendicular) <*6> CW, Po=5mW  
deg.  
deg.  
θ //  
θ ┴  
---  
30  
---  
fr  
Resonance frequency  
2.48832Gbps,Ib=Ith, Ipp=40mA  
---  
11  
---  
GHz  
ps  
2.48832Gbps,Ib=Ith, Ipp=40mA  
tr,tf  
Rise and Fall time <*7>  
---  
80  
120  
20%-80%  
Monitoring output current (PD)  
Dark current (PD)  
Capacitance (PD)  
Im  
Id  
Ct  
0.1  
---  
---  
---  
---  
10  
1.0  
0.1  
20  
mA  
µA  
pF  
CW, Po=5mW,VRD=1V,RL=10Ω  
V
RD=5V  
VRD=5V  
<*1> Applied to ML9xx40-04~09 and -12~17.  
<*2> Applied to ML9xx40-10~11 and -18~19.  
<*3> Applied to ML925J40F and ML920L40S.  
<*6> Beam divergence is not applied to ML925J40F and ML920L40S.  
<*7> Except influence of the 18mm lead.  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
Feb. 2005  
123

中文翻译

下载PDF

与ML920J40S-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ML920J40S-14 MITSUBISHI

获取价格

 		2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE
ML920J40S-15 MITSUBISHI

获取价格

 		2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE
ML920J40S-16 MITSUBISHI

获取价格

 		2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE
ML920J40S-17 MITSUBISHI

获取价格

 		2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE
ML920J40S-18 MITSUBISHI

获取价格

 		2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE
ML920J40S-19 MITSUBISHI

获取价格

 		2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE
ML920J43S MITSUBISHI

获取价格

 		2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE
ML920J45S MITSUBISHI

获取价格

 		1550,1520nm InGaAsP FP LASER DIODES
ML920J45S-01 MITSUBISHI

获取价格

 		Laser Diode, 1550nm, HERMETIC SEALED, TO-CAN PACKAGE-4
ML920K35S MITSUBISHI

获取价格

 		Laser Diode, 1550nm, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

与ML920J40S-13相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证