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Datasheet > ML920K45S-02
ML920K45S-02 PDF预览

ML920K45S-02

更新时间： 2024-11-19 14:53:47
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电半导体
页数 文件大小 规格书
3页 197K
描述
Laser Diode, 1520nm, HERMETIC SEALED, TO-CAN PACKAGE-4

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ML920K45S-02 技术参数

生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, TO-CAN PACKAGE-4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE最大正向电流：0.05 A
最大正向电压：1.5 V安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C光电设备类型：LASER DIODE
标称输出功率：4 mW峰值波长：1520 nm
最长响应时间：7e-10 s半导体材料：InGaAsP
形状：ROUND尺寸：1.5 mm
光谱带宽：3e-9 m子类别：Laser Diodes
表面贴装：NO最大阈值电流：20 mA
Base Number Matches：1

ML920K45S-02 数据手册

 浏览型号ML920K45S-02的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ML920K45S-02的Datasheet PDF文件第3页 
MITSUBISHI LASER DIODES  
ML9xx45 SERIES  
Notice: Some parametric limits are subject to change.  
1550,1520nm InGaAsP FP LASER DIODES  
TYPE  
ML920J45S , ML920K45S, ML920Y45S  
NAME  
ML925B45F , ML925C45F  
DESCRIPTION  
FEATURES  
ML9XX45 series are InGaAsP laser diodes which provide  
a stable, single transverse mode oscillation with emission  
wavelength of 1550nm and standard continuous light output  
of 5mW.  
•1550 or 1520nm typical emission wavelength, FP-LDs  
•Low threshold current, low operating current  
•Wide temperature range operation  
(Tc=-40 to 85deg.C)  
•φ5.6mm TO-CA N package  
Flat window cap : ML920J45S, ML925B45F  
Ball lens cap : ML920K45S, ML925C45F, ML920Y45S  
ML9XX45 are hermetically sealed devices having the photo  
diode for optical output monitoring. This is suitable for such  
applications as FTTH (Fiber to the Home)systems.  
APPLICATION  
•~155Mbps FTTH system  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Po  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
Unit  
mW  
V
Light output power  
Laser reverse voltage  
PD reverse voltage  
PD forward current  
Operation temperature  
Storage temperature  
CW  
6[4]  
VRL  
VRD  
IFD  
-
-
-
-
-
2
20  
2
V
mA  
deg.C  
deg.C  
Tc  
-40 to +85  
-40 to +100  
Tstg  
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS(Tc=25oC)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Ith  
Iop  
Vop  
η
Threshold current  
CW  
3
10  
30  
20  
50  
mA  
mA  
Operation current  
Operating voltage  
Slope efficiency  
CW, Po=5mW[3mW]  
CW, Po=5mW[3mW]  
CW, Po=5mW[3mW]  
10  
---  
1.1  
1.5  
0.5  
1580  
1544  
3
V
0.15[0.1] 0.25[0.2]  
mW/mA  
-01spec  
-02spec  
1520  
1495  
---  
1550  
1520  
1.5  
Center wavelength  
CW, Po=5mW[3mW]  
λc  
nm  
Spectral Width  
CW, Po=5mW, [3mW]RMS(-20dB)  
CW, Po=5mW[3mW]  
nm  
deg.  
∆λ  
θ∥  
Beam divergence angle(parallel)  
Beam divergence angle  
(perpendicular)  
---  
25[11]  
---  
θ⊥  
CW, Po=5mW[3mW]  
---  
30[11]  
---  
deg.  
tr,tf  
Im  
Id  
Ct  
Rise and Fall time (10%-90%)  
Monitor Current (PD)  
Dark Current (PD)  
Ib=Ith,Po=5mW [3mW],10-90%  
CW, Po=5mW[3mW], VRD=1V,  
VRD=10V  
VRD=10V, f=1MHz  
CW, PL=3mW,SI10/125  
---  
0.1  
---  
---  
0.2  
0.3  
0.5  
---  
10  
0.5  
0.7  
1.0  
0.1  
20  
nsec  
mA  
µA  
Capacitance (PD)  
pF  
Pf(Note2)  
---  
mW  
Fiber Coupling characteristics  
at peak coupling<3>  
ML920K45S  
CW, PL=3mW  
5.0  
6.0  
5.8  
6.5  
6.2  
7.0  
Df(Note2)  
ML925C45F  
mm  
SI10/125  
ML920Y45S  
Note : <1> [ ]applied to the lens cap type.  
Note : <2> Pf,Df are applied to the ball lens type.  
Note : <3> Df is a distance between reference plane of the base to the fiber.  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
May 2004  
123

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与ML920K45S-02相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ML920K6S MITSUBISHI

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 		Laser Diode, 1550nm, HERMETIC SEALED PACKAGE-4
ML920L11S MITSUBISHI

获取价格

 		Notice : Some parametric limits are subject to change InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920L11S-04 MITSUBISHI

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 		InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920L11S-05 MITSUBISHI

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 		InGaAsP DFB LASER DIODES
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 		InGaAsP DFB LASER DIODES
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