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ML920J43S

更新时间： 2024-10-02 04:15:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 二极管激光二极管
页数 文件大小 规格书
2页 173K
描述
2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE

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ML920J43S 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流：0.15 A最大正向电压：1.5 V
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最高工作温度：95 °C最低工作温度：-20 °C
光电设备类型：LASER DIODE标称输出功率：10 mW
峰值波长：1550 nm最长响应时间：1.2e-10 s
半导体材料：InGaAsP形状：ROUND
尺寸：2 mm子类别：Laser Diodes
表面贴装：NO最大阈值电流：15 mA

ML920J43S 数据手册

 浏览型号ML920J43S的Datasheet PDF文件第2页 
MITSUBISHI LASER DIODES  
ML9XX43 SERIES  
Notice : Some parametric limits are subject to change  
2.5Gbps InGaAsP DFB LASER DIODE  
TYPE  
NAME  
ML925B43F / ML920J43S  
ML925J43F / ML920L43S  
DESCRIPTION  
APPLICATION  
ML9XX43 series are uncooled DFB (Distributed Feedback) laser  
diodes for 2.5Gbps transmission emitting light beam at 1550nm.  
ML9xx43 can operate in the wide temperature range from -20oC to  
2.5Gbps long-haul transmission  
FEATURES  
· Wide temperature range operation (-20oC to 95oC)  
· High side-mode-suppression-ratio (typical 40dB)  
· High resonance frequency (typical 11GHz)  
o
95 C without any temperature control. They are well suited  
for light source in long distance digital transmission  
application.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
Unit  
mW  
mA  
V
mA  
V
Po  
Output power  
CW  
---  
10  
150  
2
If  
VRL  
IFD  
Forward current (Laser diode)  
Reverse voltage (Laser diode)  
Forward current (Photo diode)  
Reverse voltage (Photo diode)  
---  
---  
2
20  
VRD  
---  
Tc  
Tstg  
Case temperature  
Storage temperature  
---  
---  
-20 to +95  
-40 to +100  
ºC  
ºC  
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC)  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Min. Typ. Max.  
Unit  
mA  
CW  
---  
---  
---  
---  
---  
10  
35  
25  
70  
1.1  
15  
50  
40  
80  
1.5  
---  
Ith  
Threshold current  
CW, Tc=95ºC  
CW, Po=5mW  
Iop  
Operation current  
mA  
CW, Po=5mW , Tc=95ºC  
Vop  
η
Operating voltage  
Slope efficiency  
Peak wavelength  
CW, Po=5mW  
V
mW/mA  
nm  
dB  
deg.  
CW, Po=5mW  
0.20 0.28  
1530 1550 1570  
λp  
CW, Po=5mW, Tc=-20 to 95ºC  
SMSR Side mode suppression ratio  
35  
---  
40  
25  
---  
---  
CW, Po=5mW, Tc=-20 to 95ºC  
Beam divergence angle (parallel) <*1> CW, Po=5mW  
(perpendicular) <*1> CW, Po=5mW  
θ //  
---  
35  
---  
deg.  
θ ┴  
Resonance frequency  
2.48832Gbps,Ib=Ith, Ipp=30mA  
---  
11  
---  
GHz  
fr  
2.48832Gbps,Ib=Ith, Ipp=30mA  
tr,tf  
Rise and Fall time <*2>  
---  
80  
120  
ps  
20%-80%  
Im  
Id  
Ct  
Monitoring output current (PD)  
Dark current (PD)  
Capacitance (PD)  
0.05  
---  
---  
0.2  
---  
10  
2.0  
0.1  
20  
mA  
µA  
pF  
CW, Po=5mW,VRD=1V,RL=10Ω  
VRD=5V  
VRD=5V  
<*1> Beam divergence is not applied to ML925J43F and ML920L43S.  
<*2> Except influence of the 18mm lead.  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
Aug. 2005  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ML920J45S MITSUBISHI

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