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ML920K6S PDF预览

ML920K6S

更新时间： 2024-11-23 19:53:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电半导体
页数 文件大小 规格书
3页 438K
描述
Laser Diode, 1550nm, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

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ML920K6S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流：0.002 A最大正向电压：1.5 V
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：LASER DIODE标称输出功率：4 mW
峰值波长：1550 nm最长响应时间：7e-10 s
半导体材料：InGaAsP形状：ROUND
尺寸：1.5 mm光谱带宽：1.5e-9 m
子类别：Laser Diodes表面贴装：NO
最大阈值电流：20 mABase Number Matches：1

ML920K6S 数据手册

 浏览型号ML920K6S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ML920K6S的Datasheet PDF文件第3页 
ML9MXITXSUB6ISHSI ELARSERIEDIOSDES  
InGaAsP - MQW - FP LASER DIODES  
ML920J6S , ML920K6S  
ML925B6F , ML925C6F  
TYPE  
NAME  
FEATURES  
DESCRIPTION  
● 1550nm typical emission wavelength, FP-LDs  
● Low threshold current, low operating current  
● Wide temperature range operation  
(Tc=-40 to +85℃)  
ML9XX6 series are InGaAsP laser diodes which provides  
a stable, single transverse mode oscillation with emission  
wavelength of 1550nm and standard continuous light output  
of 5mW.  
ML9XX6 are hermetically sealed devices having the photo  
diode for optical output monitoring. This high performance,  
high reliability, and long-life laser diode is suitable for such  
applications as the light sources for long distance optical  
communication systems.  
● High reliability, long operation life  
● Have a lens-cap ( ML925C6F, ML920K6S )  
● MQW* active layer  
* Multiple Quantum Well  
APPLICATION  
Optical communication system  
ABS OLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Po  
Parameter  
Conditions  
Ratings[Note 1]  
Unit  
mW  
V
CW  
-
6[4]  
2
Light output power  
VRL  
Reverse voltage (laser diode)  
Reverse voltage (Photodiode)  
20  
2
V
VRD  
IFD  
-
-
mA  
Forward current (Photodiode)  
Case temperature  
℃
Tc  
-
-
-40 ~ +85  
Tstg  
Storage temperature  
- 40 ~ +100  
℃
[Note 1]  
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERIS TICS (Tc=25℃）  
Typ.  
Symbol  
Parameter  
Thereshold current  
Operating current  
Operating voltage  
Slope efficiency  
Test conditions  
Min.  
-
-
Max  
Unit  
mA  
mA  
CW  
10  
30  
1.1  
30  
50  
1.5  
-
1580  
3
Ith  
Iop  
Vop  
η
CW,Po=5mW[3mW]  
CW,Po=5mW[3mW]  
CW,Po=5mW[3mW]  
CW,Po=5mW[3mW]  
CW,Po=5mW[3mW]  
CW,Po=5mW[3mW]  
-
V
0.25[0.2]  
1550  
1.5  
mW/mA  
nm  
0.15[0.1]  
1520  
λ p  
∆ λ  
Peak wavelength  
Spectral width (RMS)  
-
nm  
θ
Beamdivergence angle (parallel)  
-
25[11]  
-
deg.  
Beamdivergence angle  
θ
CW,Po=5mW[3mW]  
-
-
30[11]  
0.3  
-
deg.  
ns  
(perpendicular)  
tr,tf  
If=Ith,Po=5mW[3mW],10 - 90%  
0.7  
Rise and Fall time  
CW,Po=5mW[3mW], VRD=1V  
0.1  
0.5  
-
mA  
Im  
ID  
Ct  
Monitoring output current  
Dark current (Photodiode)  
Capacitance (Photodiode)  
VRD=10V  
VRD=10V, f=1MHz  
-
-
0.01  
10  
0.1  
20  
µA  
pF  
Note 1 : [ ] applied to the lens cap type  
MITSUB ISHI  
ELECTRIC  
AUG. '01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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