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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 最长访问时间： | 250 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 混合内存类型： | N/A | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 9.652 mm |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MKI48Z12B15 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP24, PLASTIC, HDIP-24 |
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| MKI48Z12B-15 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 |
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| MKI48Z12B20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDIP24, PLASTIC, HDIP-24 |
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| MKI48Z12B-20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 |
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| MKI48Z12B25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 250ns, PDIP24, PLASTIC, HDIP-24 |
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| MKI48Z12B-25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 250ns, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 |
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| MKI50-06A7 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules H-Bridge |
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| MKI50-06A7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MKI50-12E7 | IXYS |
获取价格 |
Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
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| MKI50-12F7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17 |
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