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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJW18020G
MJW18020G PDF预览

MJW18020G

更新时间： 2024-09-25 10:55:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关高压PC局域网
页数 文件大小 规格书
5页 127K
描述
NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar

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MJW18020G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-247AD包装说明：LEAD FREE, CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：1.43Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225734
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-247 CASE 340L-02
Samacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：30 A集电极-发射极最大电压：450 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5.5
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：180 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：13 MHz
Base Number Matches：1

MJW18020G 数据手册

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MJW18020  
NPN Silicon Power  
Transistors High Voltage  
Planar  
The MJW18020 planar High Voltage Power Transistor is  
specifically Designed for motor control applications, high power  
supplies and UPS’s for which the high reproducibility of DC and  
Switching parameters minimizes the dead time in bridge  
configurations.  
http://onsemi.com  
30 AMPERES  
1000 VOLTS BVCES  
450 VOLTS BVCEO, 250 WATTS  
Features  
• High and Excellent Gain Linearity  
• Fast and Very Tight Switching Times Parameters t and t  
si  
fi  
• Very Stable Leakage Current due to the Planar Structure  
• High Reliability  
• Pb−Free Package is Available*  
1
2
MAXIMUM RATINGS  
TO−247  
CASE 340L  
3
Rating  
Symbol  
Value  
450  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector−Emitter Sustaining Voltage  
Collector−Base Breakdown Voltage  
Collector−Base Voltage  
V
CEO  
V
1000  
1000  
9.0  
CES  
CBO  
V
MARKING DIAGRAM  
Emitter−Base Voltage  
V
EBO  
Collector Current − Continuous  
− Peak (Note 1)  
I
C
30  
45  
Adc  
Base Current  
− Continuous  
− Peak (Note 1)  
I
B
6.0  
10  
Adc  
MJW18020  
AYWWG  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
250  
2.0  
W
W/_C  
_C  
C
D
Derate Above 25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +150  
stg  
1 BASE  
3 EMITTER  
2 COLLECTOR  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
0.5  
50  
Unit  
_C/W  
_C/W  
_C  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JC  
R
q
JA  
G
= Pb−Free Package  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes: 1/8” from Case for 5 Seconds  
T
275  
L
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
Device  
Package  
Shipping  
MJW18020  
TO−247  
30 Units/Rail  
30 Units/Rail  
MJW18020G  
TO−247  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
March, 2010 − Rev. 2  
MJW18020/D  
 
12345

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MJW18020G 替代型号

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