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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJW21196G
MJW21196G PDF预览

MJW21196G

更新时间： 2024-11-13 03:49:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 75K
描述
16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200 WATTS

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MJW21196G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-247AD包装说明：LEAD FREE, CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.6Samacsys Description：ON SEMICONDUCTOR - MJW21196G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 200 W, 16 A, 20 hFE
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：16 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHz

MJW21196G 数据手册

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MJW21195 (PNP)  
MJW21196 (NPN)  
Preferred Devices  
Silicon Power Transistors  
The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter  
technology and are specifically designed for high power audio output,  
disk head positioners and linear applications.  
http://onsemi.com  
Features  
16 AMPERES  
COMPLEMENTARY  
SILICON POWER TRANSISTORS  
250 VOLTS, 200 WATTS  
• Total Harmonic Distortion Characterized  
• High DC Current Gain − h = 20 Min @ I = 8 Adc  
FE  
C
• Excellent Gain Linearity  
• High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second  
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
250  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
400  
1
2
5.0  
TO−247  
3
CASE 340L  
Collector−Emitter Voltage − 1.5 V  
V
400  
Vdc  
Adc  
CEX  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak (Note 1)  
I
16  
30  
C
MARKING DIAGRAM  
Base Current − Continuous  
I
5.0  
Adc  
B
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
200  
1.43  
W
W/°C  
C
D
Derate Above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−ꢀꢀ65 to +150  
°C  
J
stg  
MJW2119x  
AYWWG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
0.7  
°C/W  
1 BASE  
3 EMITTER  
q
JC  
JA  
2 COLLECTOR  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
40  
°C/W  
q
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
x
A
Y
= 5 or 6  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
G
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
MJW21195  
TO−247  
30 Units/Rail  
30 Units/Rail  
MJW21195G  
TO−247  
(Pb−Free)  
MJW21196  
TO−247  
30 Units/Rail  
30 Units/Rail  
MJW21196G  
TO−247  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 2  
MJW21195/D  
 
1234567

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MJW21196G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJW21194G ONSEMI

完全替代

 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W
MJW21196 ONSEMI

完全替代

 Silicon Power Transistors

与MJW21196G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		DC/DC CONVERTER 25W, Highest Power Density 1
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MJW25-12D15 TOTAL-POWER

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