5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 7.5 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 6000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE8503U | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| MJE8503U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| MJE8503UA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| MJE8503W | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| MJE8503WD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| MJE9780 | MOTOROLA |
获取价格 |
PNP SILICON POWER TRANSISTOR 3.0 AMPERES 150 VOLTS |
|
| MJE9780 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| MJE9780AF | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MJE9780AJ | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu |
|
| MJE9780AK | ONSEMI |
获取价格 |
3A, 150V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
