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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 375 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE5731C | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5731D1 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5731G | ONSEMI |
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High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
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| MJE5731L | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5731N | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5731S | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5731U | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5731U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5731UA | MOTOROLA |
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1A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5731W | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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