MJ4031

更新时间： 2024-02-07 22:57:21

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COMSET		晶体晶体管
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4页	216K
描述
MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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MJ4031 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.2
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MJ4031 数据手册

MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON

TRANSISTORS

For use as output devices in complementary general purpose amplifier

applications.

•

High DC current Gain – h_FE=3500 (Typ) @ I_C=10 Adc

Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistor

The MJ4030/31/32 ares the transistors NPN

The complementary PNP types are the MJ4033/34/35

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

MJ4030

MJ4033

MJ4031

MJ4034

MJ4032

MJ4035

MJ4030

MJ4033

MJ4031

MJ4034

MJ4032

MJ4035

MJ4030

MJ4033

MJ4031

MJ4034

MJ4032

MJ4035

Collector-Base Voltage

Collector-EmitterVoltage

Emitter-Base Voltage

I_E=0

V_CBO

100

I_B=0

I_C=0

V_CEO

100

V_EBO

5.0

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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