MJ4032

更新时间： 2024-02-04 03:02:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	65K
描述
isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor

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MJ4032 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.73
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MJ4032 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor

MJ4032

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Respectively complement to type MJ4035

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For use as output devices in complementary general

purpose amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_C=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

VALUE

-100

-5

UNIT

-16

I_B

Base Current

-0.5

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

℃

200

T_J

-55~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.17

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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