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MIG20J855H PDF预览

MIG20J855H

更新时间: 2024-09-19 20:46:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 电动机控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
TRANSISTOR 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

MIG20J855H 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
其他特性:HIGH SPEED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND SINGLE PHASE DIODE BRIDGEJESD-30 代码:R-XDIP-T20
JESD-609代码:e0元件数量:6
端子数量:20最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):500 ns
标称接通时间 (ton):150 nsBase Number Matches:1

MIG20J855H 数据手册

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