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MIG30J806EA PDF预览

MIG30J806EA

更新时间： 2024-02-15 16:07:36

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	193K
描述
TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,3-PH BRIDGE,600V V(BR)CES,30A I(C)

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MIG30J806EA 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
门极-发射极最大电压：	20 V	元件数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	VCEsat-Max：	2.8 V
Base Number Matches：	1

MIG30J806EA 数据手册

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与MIG30J806EA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MIG30J806H	TOSHIBA	TRANSISTOR IGBT, 2-108E5A, 24 PIN, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MIG30J901	TOSHIBA	INTEGRATED GTR MODULE	获取价格
MIG30J901H	TOSHIBA	INTEGRATED GTR MODULE	获取价格
MIG30J904H	TOSHIBA	TRANSISTOR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MIG30J906HA	TOSHIBA	TRANSISTOR 35 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MIG30J951H	TOSHIBA	INTEGRATED GTR MODULE	获取价格

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