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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 元件数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 2.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MIG50J906EA | TOSHIBA |
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HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
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| MIG50J906H | TOSHIBA |
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HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
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| MIG50Q201H | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MIG50Q6CSB1X | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT |
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| MIG50Q7CSA0X | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL IGBT |
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| MIG50Q7CSB1X | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MIG5Q805H | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MIG600J2CMB1W | TOSHIBA |
获取价格 |
Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT |
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| MIG600J2CMB1W | MITSUBISHI |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MIG75J101H | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT |
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