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MHPM7A12A120A

更新时间: 2024-11-11 19:51:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA
页数 文件大小 规格书
9页 584K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

MHPM7A12A120A 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
JESD-30 代码:R-PUFM-T25元件数量:7
端子数量:25封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:UPPER晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MHPM7A12A120A 数据手册

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