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MH64R18BUP-536

更新时间: 2024-11-23 14:53:31
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 971K
描述
Rambus DRAM Module, 4MX18, 53ns, CMOS, DIMM-184

MH64R18BUP-536 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM184,40针数:184
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL最长访问时间:53 ns
其他特性:SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):600 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:75497472 bit内存集成电路类型:RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:84
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:4MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.63 V最小供电电压 (Vsup):2.37 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MH64R18BUP-536 数据手册

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