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MH64S72AWJA-8

更新时间： 2024-11-18 22:05:59

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三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
56页	933K
描述
4,831,838,208-BIT ( 67,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

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MH64S72AWJA-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.236 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	5.96 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH64S72AWJA-8 数据手册

Preliminary Spec.

MITSUBISHI LSIs

Some contents are subject to change without notice.

MH64S72AWJA -6,-7,-8

4,831,838,208-BIT ( 67,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

DESCRIPTION

The MH64S72AWJA is 67108864 - word x 72-bit

Synchronous DRAM module. This consist of thirty-six

industry standard 32M x 4 Synchronous DRAMs in

smalTSOP.

The smal TSOP on a card edge dual in-line package

provides any application where high densities and large

of quantities memory are required.

85pin

1pin

This is a socket-type memory module ,suitable for

easy interchange or addition of module.

FEATURES

94pin

95pin

10pin

11pin

CLK Access Time

Frequency

(at Latch mode)

-6

-7

-8

5.4ns(CL=4)

133MHz

6.0ns(CL=3)

6.0ns(CL=4)

100MHz

124pin

125pin

40pin

41pin

Utilizes industry standard 32M X 4 Synchronous DRAMs in

smal TSOP package , industry standard Resister in TSSOP

package , and industry standard PLL in TSSOP package.

Single 3.3V +/- 0.3V supply

Burst length 1/2/4/8/Full Page (programmable)

Burst type sequential / interleave (programmable)

Column access random

Burst W rite / Single W rite (programmable)

Auto precharge / Auto bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

LVTTL Interface

4096 refresh cycles every 64ms

APPLICATION

84pin

168pin

Main memory unit for computers, Microcomputer memory.

17/Mar. /2000

MIT-DS-372-0.2

MITSUBISHI

ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...56

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH64S72PHH-6	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64708864X72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
MH64S72PHH-6L	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64708864X72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
MH64S72PHH-7	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64708864X72, 6ns, CMOS, DIMM-168
MH64S72PHH-7L	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64708864X72, 6ns, CMOS, DIMM-168
MH64S72PJA	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, PDMA168
MH64S72PJA-7	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168
MH64S72PJA-8	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168
MH64S72QJA-6	MITSUBISHI	获取价格	4,831,838,208-BIT ( 64,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM
MH64S72QJA-7	MITSUBISHI	获取价格	4,831,838,208-BIT ( 67,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM
MH64S72QJA-8	MITSUBISHI	获取价格	4,831,838,208-BIT ( 67,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

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