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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM168 | 针数： | 168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| 内存密度： | 4831838208 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX72 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM168 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 最大待机电流： | 0.082 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 4.229 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MH64S72PJA-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| MH64S72QJA-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
4,831,838,208-BIT ( 64,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
|
| MH64S72QJA-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
4,831,838,208-BIT ( 67,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
|
| MH64S72QJA-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
4,831,838,208-BIT ( 67,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
|
| MH64S72VJG-5 | MITSUBISHI |
获取价格 |
4,831,838,208-BIT ( 67,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
|
| MH64S72VJG-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
4,831,838,208-BIT ( 67,108,864-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
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| MH64TAD | MTRONPTI |
获取价格 |
8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator |
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| MH64TAD00.6250MHZ | MTRONPTI |
获取价格 |
XO, Clock, 0.625MHz Min, 67MHz Max, 0.625MHz Nom, |
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| MH64TAD00.625MHZ | MTRONPTI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MH64TAD01.0000MHZ | MTRONPTI |
获取价格 |
HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 0.625MHz Min, 67MHz Max, 1MHz Nom, |
|
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