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MH28D72KLG-75

更新时间： 2024-10-26 22:30:11

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三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
39页	336K
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9,663,676,416-BIT (134,217,728-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module

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MH28D72KLG-75 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM184	针数：	184
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	9663676416 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM184	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH28D72KLG-75 数据手册

Preliminary Spec.

Some contents are subject to change without notice.

MITSUBISHI LSIs

MH28D72KLG-75,-10

9,663,676,416-BIT (134,217,728-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module

DESCRIPTION

The MH28D72KLG is 134217728 - word x 72-bit Double

Data Rate(DDR) Sy nchronous DRAM mounted module.

This consists of 36 industry standard 64M x 4 DDR

Sy nchronous DRAMs in TSOP with SSTL_2 interf ace which

achiev es v ery high speed data rate up to 133MHz.

This socket-ty pe memory module is suitable f or main

memory in computer systems and easy to interchange or

add modules.

93pin

1pin

FEATURES

CLK

Max.

Access Time

[component level]

Type name

Frequency

+ 0.75ns

MH28D72KLG-75

MH28D72KLG-10

133MHz

100MHz

+ 0.8ns

144pin

145pin

52pin

53pin

- Utilizes industry standard 64M X 4 DDR Synchronous DRAMs

in TSOP package , industry standard Registered Buffer in

TSSOP package , and industry standard PLL in TSSOP package.

- Vdd=Vddq=2.5v ±0.2V

- Double data rate architecture; two data transf ers per

clock cycle

- Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/receiv ed

with data

- Dif f erential clock inputs (CLK and /CLK)

- data ref erenced to both edges of DQS

- /CAS latency - 2.0/2.5 (programmable)

- Burst length- 2/4/8 (programmable)

- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

- 8192 ref resh cycles /64ms

- Auto ref resh and Self ref resh

- Row address A0-12 / Column address A0-9,11

- SSTL_2 Interf ace

184pin

92pin

- Module 2bank Conf igration

- Burst Ty pe - sequential/interleav e(programmable)

- Commands entered on each positiv e CLK edge

APPLICATION

Main memory unit for PC, PC server, Server, W S.

MIT-DS-0412-0.1

21.Mar.2001

MITSUBISHI ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...39

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH28D72KLG-75A	MITSUBISHI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
MH28D72KTN-10	MITSUBISHI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
MH28D72KTN-75	MITSUBISHI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
MH28D72KTN-75A	MITSUBISHI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
MH28FAD	MTRONPTI	获取价格	8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator
MH28FAD01.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 80MHz Max, 1MHz Nom,
MH28FAD01.5000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator,
MH28FAD50.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator,
MH28FAD80.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 80MHz Max, 80MHz Nom,
MH28FADFREQ	MTRONPTI	获取价格	CMOS/TTL Output Clock Oscillator, 0.625MHz Min, 67MHz Max, HALF-SIZE, DIP-4

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